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本发明公开了一种基于自隔离技术的介质场增强ＳＯＩ耐压结构，包括半导体衬底层，介质埋层和半导体有源层，在所述半导体有源层上部设置有漂移区层，在所述半导体有源层的下部设置有至少一个界面岛型埋层，所述界面岛型埋层位于介质埋层上方，所述漂移区层和界...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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