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本发明提供了一种TVS器件及其制造方法，TVS器件包括：基板主体，所述基板主体包括元胞区、触发区和终端区；所述元胞区中形成有MOS管，所述触发区中形成有TVS管；所述TVS管为二极管结构，所述二极管的P区和N区通过对硅进行掺杂形成，且所述P...
该专利属于上海晶岳电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海晶岳电子有限公司授权不得商用。

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