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本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，先在衬底上形成第一接触结构层以及第一开口，然后在第一接触结构层上形成第二接触结构层以及与第一开口连通的第二开口。对第一接触结构层进行刻蚀，将第一开口刻蚀至衬底，以形成接触孔。其中，第二开口的第二宽度大于...
该专利属于合肥新晶集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥新晶集成电路有限公司授权不得商用。

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