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本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构，其中，制作方法包括：形成金属层和第一掩膜层，第一掩膜层位于金属层上方，第一掩膜层包括第一密度的第一凸出图形；根据第一掩膜层定义的图案刻蚀金属层，形成第一宽度尺寸的金属线末端结构；形成第二掩膜层...
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