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本发明公开了一种获得垂直型沟道高压超级结半导体器件的方法，步骤一、在Ｎ＋基板上进行第一次Ｎ型外延成长；步骤二、刻蚀所述Ｎ型外延层，在Ｎ型外延层上形成一定高宽比的沟槽穿通到Ｎ＋基板上；步骤三、在所述沟槽中填入Ｐ型外延层；步骤四、利用化学机械研...
该专利属于上海华虹ＮＥＣ电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹ＮＥＣ电子有限公司授权不得商用。

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