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本发明提供了一种新型的闪存存储器及其制备方法，其选择栅极位于半导体衬底内的一第一沟槽中，而其擦除栅极则位于所述第一沟槽所对应的半导体衬底的表面上，从而让选择栅极和擦除栅极沿垂直于衬底表面的方向构成上下位结构，以实现在确保分栅闪存器件既能具有...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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