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具有气隙的半导体结构的制备方法技术
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下载具有气隙的半导体结构的制备方法的技术资料
文档序号:38205744
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本公开提供一种半导体结构的制备方法。该制备方法包括形成一第一位元线以及一第二位元线在一基底上;形成一图案化层在该第一位元线与该第二位元线之间,其中该图案化层覆盖该基底并围绕该第一位元线的一下部以及该第二位元线的一下部;形成一共形层在该图案化...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。
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