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本申请涉及建模技术领域，特别涉及一种计算场效应晶体管沟道表面静电势自洽解的方法及装置，其中，方法包括：基于预设栅电容方程的零温极限，得到静电势零温极限精确解析解，代入含温度展宽系数软化函数得到一般温度静电势逼近解，并取优化系数向量映射的线性...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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