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一种通过层层组装高产量制备高纯SiC纳米线的方法，本发明涉及制备高纯SiC纳米线的方法领域。本发明是为了解决目前SiC纳米线合成工艺复杂和苛刻、制备周期长、成本高，且纳米线纯度低、产量低的问题。方法：一、硅粉和碳基板预处理；二、SiC纳米线...
该专利属于哈尔滨工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨工业大学授权不得商用。

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