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本发明提供一种CMOS图像传感器的形成方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上包括像素区和逻辑区；在所述半导体衬底的像素区和逻辑区上形成不同厚度的介质层；在像素区的不同厚度的所述介质层上进行离子注入氮离子，形成超浅结，以吸附金属杂质；...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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