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本申请提供一种半导体器件的制造方法以及半导体器件，该方法包括：提供半导体衬底，其中，半导体衬底包括有源器件区域和隔离有源器件区域的隔离结构，有源器件区域包括第一类型掺杂区；在半导体衬底暴露出第一类型掺杂区的第一表面形成氧化层；对氧化层进行图...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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