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本发明提出的一种SiGe HBT总剂量效应感生缺陷分布的检测方法，包括：在第一预设温度下，利用1/f噪声对待测SiGe HBT进行检测，获得第一1/f噪声参数；在第二预设温度下，利用1/f噪声对待测SiGe HBT进行检测，获得第一1/f噪...
该专利属于湘潭大学所有，仅供学习研究参考，未经过湘潭大学授权不得商用。

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