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本发明提供了一种闪存器件的制备方法，应用于半导体制造领域中。由于本发明提供的制备方法在利用炉管工艺形成闪存器件的浮栅材料层之后，增加了一步根据不同产品的膜层厚度设计要求刻蚀所述浮栅材料层，以动态调整刻蚀后形成的浮栅尖端的高度的步骤，进而实现...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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