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本申请公开了一种利用聚焦离子束加工半导体芯片结构透射样品的方法，在常规透射样品制备流程的基础上进行了减薄流程的改进，采用特定参数进行切割加工时两步切割法和间隙切割法，实现半导体芯片结构的均匀厚度加工，特别是针对钨柱结构的切割方式进行了优化设...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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