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本发明提供了一种分离栅沟槽MOSFET器件的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括位于中心的第一区域和位于边缘的第二区域；在第一区域上形成第一深沟槽，第二区域上形成有第一浅沟槽；在第一深沟槽内形成第一氧化层，第一氧化层覆盖第一深沟槽的侧壁并且形...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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