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本发明公开了一种聚合物薄膜区域选择性沉积的方法，所述方法包括使基材与等离子体接触后放入反应器中进行聚合物薄膜沉积；其中，基材包括第一金属区域和第二介电材料区域，相较于第一金属区域，具有低介电常数的聚合物薄膜在第二介电材料区域的沉积选择性达5...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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