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本发明公开了一种铌酸锂易失性忆阻器及其制备方法，该忆阻器采用磁控溅射法制备的铌酸锂薄膜为阻变材料。本发明使得器件内部导电细丝的形成和熔断可以通过电压的强度和持续时间控制达到不同的调制效果，使器件展现出了器件电阻自发衰减的且更趋近于生物突触的...
该专利属于北京信息科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京信息科技大学授权不得商用。

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