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本发明提供一种衬底处理方法及半导体器件制造方法，能够利用图案化掩膜不同厚度具有不同的透氧率的特性，仅仅只需要一次热氧化工艺且对该热氧化的工艺配方进行精细调整，就可以制造至少三种不同高度的衬底顶面，能够简化制造工艺、缩短制造时间、提高效率、增...
该专利属于中芯先锋集成电路制造（绍兴）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯先锋集成电路制造（绍兴）有限公司授权不得商用。

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