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本发明属于半导体技术领域，公开了沟槽型MOS场效应晶体管的制备方法和应用。制备方法：在半导体衬底层上依次形成N型半导体外延层、阱区和掺杂区；在掺杂区的中间区域的两侧分别刻蚀一个虚拟沟槽，向虚拟沟槽的底部注入P型杂质，形成P+层；在掺杂区的中...
该专利属于深圳市至信微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市至信微电子有限公司授权不得商用。

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