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本发明提供了一种通过缺陷工程设计Se、Te离子掺杂的MnO2正极材料制备方法，包括以下步骤：将MnO2粉末在Ar气气氛下于250℃煅烧2h，随后在保持Ar气吹拂的条件下于450℃吹拂Se、Te粉，最终得到掺杂了Se、Te的MnO2正极材料。...
该专利属于北京理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京理工大学授权不得商用。

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