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3D异构芯片的制备方法、3D异构芯片和衰减器技术
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文档序号:37994510
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本发明提供一种3D异构芯片的制备方法、3D异构芯片和衰减器。该制备方法包括:获取第一IC芯片,第一IC芯片为III
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该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。
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