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本发明涉及一种3D无结增强型浮栅存储器及其制备方法，属于非挥发性存储器技术领域。该存储器的特征在于：其特征在于：以非晶硅环绕层作为存储器件沟道，通过控制非晶硅环绕层的周长可以实现增强型沟道，所述非晶硅环绕层的上下两端作为浮栅存储器沟道的源漏...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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