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一种基于六方氮化硼阻变存储器及制备方法。阻变存储器自下而上依次为衬底、底电极、阻变层和顶电极；阻变层材料为h
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该专利属于南昌大学所有，仅供学习研究参考，未经过南昌大学授权不得商用。

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