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本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种发光二极管外延片及其制备方法，包括衬底，所述衬底上沿外延方向依次设置有形核层、本征GaN层、N型半导体层、电子引导层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层；所述电子引导层包括沿外延方向依次设置的第一电子...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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