发光二极管外延片及其制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，具体公开一种发光二极管外延片及其制备方法，包括衬底，所述衬底上沿外延方向依次设置有形核层、本征GaN层、N型半导体层、电子引导层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层；所述电子引导层包括沿外延方向依次设置的第一电子储存层、第二电子拦截层及第三电子扩展层；所述第二电子拦截层的禁带宽度＞所述第三电子扩展层的最大禁带宽度＞所述第一电子储存层的禁带宽度。本发明专利技术的外延片发光波长和发光亮度分布均匀，抗静电能力佳。电能力佳。电能力佳。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管外延片及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法。

技术介绍

[0002]目前，GaN基发光二极管已经大量应用于固态照明领域以及显示领域，吸引着越来越多的人关注。GaN 基发光二极管已经实现工业化生产、在背光源、照明、景观灯等方面都有应用。
[0003]传统的GaN基发光二极管外延片包括：一种衬底、以及在所述衬底上依次生长的形核层、本征GaN层、N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层，这种结构的缺点在于，由于电子迁移率远大于空穴，所以电子扩展能力差，导致载流子在多量子阱区不能很好的扩展开来，造成发光波长和亮度均匀性差，而且载流子扩展不好，会导致发光二极管抗静电能力变差。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于针对已有的技术现状，提供一种发光波长和发光亮度分布均匀、抗静电能力佳的发光二极管外延片及其制备方法。
[0005]为达到上述目的，本专利技术采用如下技术方案：本专利技术提供一种发光二极管外延片，包括衬底，所述衬底上沿外延方向依本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管外延片，包括衬底，其特征在于，所述衬底上沿外延方向依次设置有形核层、本征GaN层、N型半导体层、电子引导层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层；所述电子引导层包括沿外延方向依次设置的第一电子储存层、第二电子拦截层及第三电子扩展层；所述第二电子拦截层的禁带宽度＞所述第三电子扩展层的最大禁带宽度＞所述第一电子储存层的禁带宽度。2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一电子储存层包括周期性层叠的第一子层、第二子层及第三子层，所述第三子层的禁带宽度Eg3＞第二子层的禁带宽度Eg2＞第一子层的禁带宽度Eg1，且Eg3/Eg1＞3，所述第二电子拦截层的禁带宽度＞1.5
×
Eg3。3.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一电子储存层为In
x
N1‑
x
/In
y
Ga1‑
y
N/GaN层，所述第二电子拦截层为B
m
Ga1‑
m
N/B
n
N1‑
n
层，所述第三电子扩展层为In
a
Ga1‑
a
N/N型B
b
Ga1‑
b
N层。4.根据权利要求3所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一电子储存层中，0.6≥x≥0.4，0.3≥y≥0.1。5.根据权利要求4所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一电子储存层包括周期性层叠的In
x
N1‑
x
子层、In
y
Ga1‑
y
N子层及GaN子层，其中，单个In
x
N1‑
x
子层的厚度为1nm~5nm，单个In
y
Ga1‑
y
N子层的厚度为1nm~5nm，单个GaN子层的厚度为6nm~10nm，所述第一电子储存层的周期数为2个...

【专利技术属性】
技术研发人员：张彩霞，印从飞，刘春杨，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：