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本发明涉及层叠体、带有机硅树脂层的支撑基材、带有机硅树脂层的树脂基板、电子器件的制造方法，提供一种抑制了有机硅树脂层的端部变质的层叠体，其依次具备支撑基材、有机硅树脂层和基板，有机硅树脂层包含选自由3d过渡金属、4d过渡金属、镧系金属及铋组...
该专利属于AGC株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过AGC株式会社授权不得商用。

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