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本发明公开了一种SiC MOSFET闩锁鲁棒性加固结构及方法。该加固结构包括填充接触区、P++注入区、P增强注入区，填充接触区为开槽并回填多晶硅的结构，多晶硅与P++注入区电学连接，P增强注入区的深度叠加填充接触区的开槽深度等于或者大于Pw...
该专利属于江苏庆延微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏庆延微电子有限公司授权不得商用。

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