本发明公开了一种双侧沟槽式栅及场板型

本发明公开了一种新型纵向埋栅结构的可控硅类TVS及其制备方法。该TVS包括半导体衬底、硅基外延一、硅基外延二、阱区一、阱区二、阱区三、阱区四、接触注入一、接触注入二、接触注入三、接触注入四、接触注入五、接触注入六、接触注入七、接触注入八...

本发明公开了一种集成电路的片内ESD防护装置及其制备方法，上浮半埋氧层与下沉半埋氧层上下交错，上浮半埋氧层位置上靠近晶圆表面，所述下沉半埋氧层的位置相对上浮半埋氧层更加远离表面，所述上浮半埋氧层和下沉半埋氧层之间存在垂直距离，热沉窗口下...

本发明公开了一种带耙齿状机构的ESD浪涌防护TVS结构及其制备方法。其结构特点包括：一是在TVS晶圆表面如发明所公开的经过文中所详细阐述约束设计的分区耙齿状机构，二是在TVS基底底部如发明所公开的全区域耙齿状机构，三是在如发明所公开地在...

本发明公开了一种具备可控多次回穿特性的ESD TVS芯片以及设计方法。该芯片包括半导体衬底、第一接触注入区域、触发控制注入区域、第二接触注入区域、第三接触注入区域、第四接触注入区域、接触孔以及金属层一、通孔以及金属二、背面金属，设置于半...

本发明公开了一种针对车规级鲁棒性优化的ESD/TVS防护半导体，在第二类型半导体衬底上以外延生长或者底面键合的方法得到第一类型半导体外延，所述第二类型半导体衬底为半导体基底，所述第一类型半导体外延为半导体外延；所述第二类型半导体衬底用于...

本发明公开了一种SiC MOSFET闩锁鲁棒性加固结构及方法。该加固结构包括填充接触区、P++注入区、P增强注入区，填充接触区为开槽并回填多晶硅的结构，多晶硅与P++注入区电学连接，P增强注入区的深度叠加填充接触区的开槽深度等于或者大于...

本发明公开了一种SiC MOSFET信号输入端双向全端口静电防护模块，包括SiC外延区域与SiC衬底、漏极背金、有侧墙多晶硅、无侧墙多晶硅栅、源极引出金属、栅极连接金属，所述SiC外延片由标准SiC MOSFET工艺制备，所述SiC外延...

本发明公开了一种高鲁棒性防静电浪涌衬底型ESD/TVS管结构及方法。该ESD/TVS管结构在表面金属及接触之下设置与半导体单晶衬底相接触且电学连接的发射极结优化填充槽，发射极结优化填充槽的下部设置有位于半导体单晶衬底之中且与发射极结优化...

本发明公开了一种具有回扫特征静电防护机构关键参数的测试装置和方法。Pwell区域、Nc缓变电容区域、Nr电阻区域、重掺杂N++、重掺杂N++、Psw区域、反型氧化层上电极以及金属连接一同构成的具有回扫特征静电防护机构关键参数的测试装置的...