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本发明提供了一种红外光电器件及其制备方法与硅基光电集成芯片，该红外光电器件包括p型衬底；单晶窄带隙材料台面，设置在P型衬底上；介质层，设置在单晶窄带隙材料台面表面且介质层顶部开设有生长窗口，其中，生长窗口用于沉积n型材料；n型材料层，设置在...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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