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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底、以及覆盖衬底的隔绝层沟道结构，基底包括器件区、以及位于相邻器件区之间的隔离区，器件区的隔绝层上形成有凸立的沟道结构；在器件区的沟道结构上形成覆盖部分沟道结构的栅极结构；在栅极结构...
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