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本发明公开一种半导体装置及其制作方法，半导体装置包括基底、第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管。基底包括高压区、中压区以及低压区。第一晶体管设置在该高压区内并包括第一栅极介电层以及第一栅极电极。第二晶体管，设置在该低压区内并包括多个鳍状结构...
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