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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括相邻接的第一器件区和第二器件区，第一器件区和第二器件区的基底上分别形成有沟道层结构，包括一个或多个间隔的沟道层，在第一器件区和第二器件区交界处，相邻沟道层结构之间形成有覆盖沟道层结构相...
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