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提供一种能够与非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻含有硅的蚀刻对象物的蚀刻气体和蚀刻方法。蚀刻气体含有由通式C4H
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该专利属于株式会社力森诺科所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社力森诺科授权不得商用。

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