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本发明公开一种提升LED芯片亮度的制作方法，包含以下步骤：(1)在氢气环境下对衬底进行脱附处理；(2)在衬底上外延生长AlN成核层；(3)对AlN成核层进行重结晶；(4)外延生长AlN缓冲层；(5)外延生长AlN/GaNDBR结构；(6)将...
该专利属于湘能华磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘能华磊光电股份有限公司授权不得商用。

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