一种提升发光效率的发光二极管制作方法技术

本发明专利技术公开一种提升LED芯片亮度的制作方法，包含以下步骤：(1)在氢气环境下对衬底进行脱附处理；(2)在衬底上外延生长AlN成核层；(3)对AlN成核层进行重结晶；(4)外延生长AlN缓冲层；(5)外延生长AlN/GaNDBR结构；(6)将AlN/GaNDBR结构进行高温退火处理，使AlN/GaNDBR结构中的GaN发生部分分解，形成AlN/空气多孔DBR结构；(7)在AlN/空气多孔DBR结构外延生长发光二极管结构，形成具有AlN/空气多孔DBR结构的发光二极管，提高对光的反射率和反射率带宽，提升光提取效率，从而提升发光效率。从而提升发光效率。从而提升发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种提升发光效率的发光二极管制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体芯片制作的
，更具体地，涉及一种提升发光效率的发光二极管制作方法。

技术介绍

[0002]发光二极管(Light
‑
EmittingDiode，简称LED)作为一种将电能转化为光能的半导体电子器件，LED以其工作电压低、工作电流很小、抗冲击和抗震性能好、可靠性高、寿命长、绿色环保等特点广泛应用于照明、手机/电视背光显示以及杀菌消毒等领域。
[0003]随着第三代半导体技术的蓬勃发展，半导体照明以节能、环保、高亮度、寿命长等优点，成为社会发展的焦点。基于GaN(氮化镓)基的LED芯片是半导体照明的“动力”，在近年来，其性能得到大幅提升、生产成本也不断降低，为半导体照明走进千家万户做出了突出贡献。但是，为加快杀菌消毒、手机/电视背光显示等高端应用，LED器件还需进一步地提升光效，如何进一步提升LED芯片的发光效率是本领域研究的热门课题。
[0004]因此，提供一种发光二极管制作方法以提升LED芯片的发光效率是本领域亟待解决的问题。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提升发光效率的发光二极管制作方法，其特征包含以下步骤：(1)在氢气环境下对衬底进行脱附处理；(2)在衬底上外延生长AlN成核层；(3)对AlN成核层进行重结晶；(4)外延生长AlN缓冲层；(5)外延生长AlN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)结构；(6)将AlN/GaNDBR结构进行高温退火处理，使AlN/GaNDBR结构中的GaN发生部分分解，形成AlN/空气多孔DBR结构；(7)在AlN/空气多孔DBR结构外延生长发光二极管结构，形成具有AlN/空气多孔DBR结构的发光二极管，提高对光的反射率和反射率带宽，提升光提取效率，从而提升发光效率。2.根据权利要求1所述的提升发光效率的发光二极管制作方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、氮化铝适合外延生长的衬底。3.根据权利要求1所述的提升发光效率的发光二极管制作方法，其特征在于，所述步骤(4)的AlN缓冲层的厚度为400～600nm。4.根据权利要求1所述的提升发光效率...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐平，许亚兵，周奇华，
申请(专利权)人：湘能华磊光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：