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本发明公开了一种近理想线性响应的双浮栅光电二极管及其制备方法，属于光电探测器制备技术领域。本发明公开了的近理想线性响应的双浮栅光电二极管，从下到上包括依次设置的SiO2/Si衬底、介电层、作为底部浮栅的第一MoTe2层、作为N端的第一MoS...
该专利属于西北工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过西北工业大学授权不得商用。

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