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本发明涉及一种集成有淬灭电阻的单光子雪崩二极管及其制造方法，所述方法包括：获取晶圆；图案化并刻蚀基的正面，形成淬灭电阻沟槽和隔离沟槽；隔离沟槽的宽度大于淬灭电阻沟槽的宽度；在淬灭电阻沟槽的内表面形成绝缘层；在基底正面淀积多晶硅，多晶硅填入淬...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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