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本发明提供一种闪存器件及其制备方法，包括：提供衬底，衬底包括外围区，外围区包括浅沟槽隔离和位于浅沟槽隔离两侧的NMOS区域和PMOS区域；衬底上形成有第一氧化层和栅极；形成侧墙，侧墙位于NMOS区域和PMOS区域各自栅极的侧壁；湿法刻蚀去除...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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