温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

半导体存储器底层电路及制备方法，涉及集成电路技术。本发明的半导体存储器底层电路，其特征在于，包括设置于行线层上方的列线层，行线层和列线层之间为绝缘隔离层，行线层内设置有预定数量的、由掺杂半导体材料构成的行线，列线层内设置有预定数量的、由导电...
该专利属于成都皮兆永存科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都皮兆永存科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。