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本发明提供一种真空器件及其制备方法，方法包括：对SOI衬底图形化，形成包括径向尺寸最小处的纳米窄小结构；栅介质层包裹纳米窄小结构；进行氢气退火，使径向尺寸最小处断开，形成将顶半导体层分隔为阳极区和阴极区的断面结构，栅介质层与纳米窄小结构使断...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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