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本公开涉及使用遂穿场效应晶体管和碰撞电离MOSFET器件的静电放电保护电路。在使用遂穿场效应晶体管(TFET)或碰撞电离MOSFET(IMOS)的电路中提供静电放电(ESD)保护。这些电路被支持在绝缘体上硅(SOI)和体基底配置中，以用作保...
该专利属于意法半导体国际有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体国际有限公司授权不得商用。

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