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一种Ｎ型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括衬底，其上设埋氧化层，埋氧化层上设Ｎ型掺杂半导体区，Ｎ型掺杂半导体区上设Ｐ阱和Ｎ型漏区，Ｐ阱上设Ｎ型源区和Ｐ型接触区，Ｐ阱表面设栅氧化层且自Ｐ阱延伸至Ｎ型掺杂半导体区，Ｐ阱表面的Ｎ型...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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