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本申请公开了高真空门阀测试用真空结构及设备,所述真空结构包括顶部、底部、第一侧面、第二侧面、第三侧面和第四侧面分别与框架密封连接形成的腔室,以及阀板,所述顶部设有供待测的高真空门阀的活塞杆穿过的至少一个通孔;所述第一侧面设有测试缺口,所述第...该专利属于无锡赛敏半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过无锡赛敏半导体科技有限公司授权不得商用。
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本申请公开了高真空门阀测试用真空结构及设备,所述真空结构包括顶部、底部、第一侧面、第二侧面、第三侧面和第四侧面分别与框架密封连接形成的腔室,以及阀板,所述顶部设有供待测的高真空门阀的活塞杆穿过的至少一个通孔;所述第一侧面设有测试缺口,所述第...