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本公开涉及用于形成堆叠式FET器件的方法，包括：形成底部FET器件，该底部FET器件包括沿至少一个沟道层布置的底部栅极电极；在底部FET器件上方形成接合层；以及在接合层上形成顶部FET器件，包括：形成包括至少一个沟道层以及在该至少一个沟道层...
该专利属于IMEC非营利协会所有，仅供学习研究参考，未经过IMEC非营利协会授权不得商用。

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