温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请提供一种具有多个字元线(WL)并减少泄漏的存储器元件及其制备方法。该存储器元件包括一半导体基底，其定义有一主动区并包括延伸至该半导体基底的一凹槽；以及设置在该凹槽内的一字元线，其中该字元线包括设置在该凹槽内的一绝缘层、由该绝缘层包围的...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。