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本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为先提供一包含MRAM区域与逻辑区域的基底，然后形成第一金属间介电层于基底上，形成第一金属内连线与第二金属内连线于MRAM区域的第一金属间介电层内，形成一自旋轨道转矩式(spi...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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