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本发明实施例公开了一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件，该外延结构包括衬底以及位于衬底一侧的多层外延层，多层外延层包括远离衬底一侧的帽层，其中，帽层的厚度D与衬底的直径d之间正相关。本发明实施例提供的外延结构通过设置帽层，并且帽...
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