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本申请技术方案提供一种半导体结构，包括至少一个电容器单元，所述电容器单元包括：半导体衬底；电容沟槽，连续地分布于所述半导体衬底中，且所述电容沟槽将所述半导体衬底分隔成多个多面柱体，所述电容沟槽中形成有包括下电极、中电极和上电极的电容器结构；...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。