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一种具有半超结结构的快恢复二极管涉及功率半导体技术领域。本发明采用掺杂不同的三层外延层，从上至下分为第一外延层，第二外延层和第三外延层，所述第一外延层采用低掺杂，位于P型区域之下，所述第二外延层采用高掺杂，位于第一外延层及第三外延层之间，所...
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