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本发明提供了一种含有量子阱结构的太阳能电池,该电池结构为:从下至上包括背电极;p型锗衬底与n型锗外延层组成的底电池;n型GaAs层过渡层;下隧穿结;p型GaAs层、量子阱结构与n型GaAs层组成的中间电池;上隧穿结;p型GaInP层与n型G...该专利属于东南大学;中国电子科技集团公司第十八研究所所有,仅供学习研究参考,未经过东南大学;中国电子科技集团公司第十八研究所授权不得商用。